1. Halbleiter-Magnetsensor (n-Typ)
SensorentwicklerHintergrund
Entwicklung einer dünnen Silizium-Messschicht für einen Magnetfeldsensor.
Aufgabe
Ermittlung der resultierenden Sensorspannung bei vorgegebener Geometrie und moderater Magnetfeldstärke.
Verwendung
Tragen Sie 10 mA Strom, 0.5 T Magnetfeld, 1e21 m⁻³ Trägerdichte, 100 µm Dicke ein und wählen Sie Elektronen.
Strom = 10 mA, B = 0.5 T, n = 1e21 m⁻³, t = 100 µm, Ladungsträger = Elektronen (n-Typ)Ergebnis
Ergibt eine Hall-Spannung von ca. -0.312 V und eine Empfindlichkeit von -0.624 V/T.