1. Dimensionnement d'une cellule Hall en silicium n
Ingénieur capteursContexte
Un ingénieur développe un magnétomètre basé sur une couche sensible en silicium de type n de 100 µm d'épaisseur.
Problème
Estimer la tension de sortie attendue sous un champ magnétique de 0,5 T avec un courant de polarisation de 10 mA.
Utilisation
Définir I = 10 mA, B = 0.5 T, n = 1e21 m⁻³, t = 100 µm et sélectionner les porteurs de type électrons.
current: 10, currentUnit: mA, b: 0.5, bUnit: T, n: 1e+21, nUnit: m3, t: 100, tUnit: um, carrier: electronsRésultat
Obtention d'une tension de Hall de −0,312 V, avec un coefficient de Hall R_H de −6,24×10⁻³ m³/C et une sensibilité de −0,624 V/T.