1. Evaluación de un sensor semiconductor de silicio tipo n
Ingeniero de instrumentaciónContexto
Se diseña una celda sensora magnética compacta con una capa de silicio de 100 µm y baja densidad de portadores.
Problema
Calcular la tensión de salida esperada y la sensibilidad frente a un campo magnético de 0.5 T con una corriente de prueba de 10 mA.
Cómo usarlo
Introduce corriente = 10 mA, campo = 0.5 T, densidad n = 1e21 m⁻³, espesor = 100 µm y selecciona portador tipo electrones.
Corriente: 10 mA, B: 0.5 T, n: 1e+21 m⁻³, t: 100 µm, Portador: ElectronesResultado
Obtiene una tensión de Hall de −0.312 V y una sensibilidad de −0.624 V/T, adecuada para lectura directa sin etapas previas de alta amplificación.