Hodgkin-Huxley 神经元模型

模拟动作电位生成与离子通道门控行为

膜电位 V(t) V = -65.0 mV
门控变量
离子电导
相图 (dV/dt vs V)

预设场景

参数控制

注入电流 (I_ext) 10.0 µA/cm²
仿真速度 1.0 x
时间窗口 100 ms

显示模式

实时统计

当前电压
-65.0 mV
放电次数
0
放电频率
0 Hz
仿真时间
0.0 ms

关于 Hodgkin-Huxley 模型

Hodgkin-Huxley 模型(1952)是描述神经元动作电位产生和传播的数学模型。Alan Hodgkin 和 Andrew Huxley 因此获得了 1963 年诺贝尔生理学或医学奖,这项工作为计算神经科学奠定了基础。

模型由四个耦合常微分方程组成:膜方程 Cm * dV/dt = I_ext - g_Na * m^3 * h * (V - E_Na) - g_K * n^4 * (V - E_K) - g_L * (V - E_L),以及三个门控变量方程 m(钠通道激活)、h(钠通道失活)和 n(钾通道激活),每个门控变量遵循具有电压依赖速率常数的一阶动力学。

当注入电流超过阈值(约 6.3 uA/cm^2)时,神经元产生重复的动作电位(脉冲)。钠通道(g_Na)快速激活导致去极化,随后失活的同时钾通道(g_K)激活使膜复极化。这些电流的相互作用产生了特征性的脉冲波形。

使用注入电流滑块控制神经元放电。低电流时神经元静息;超过阈值后开始周期性放电。试试预设来探索不同模式:静息、阈值、规律放电、快速放电和强驱动放电。相图揭示了放电时的极限环。简化模式下仅显示电压轨迹,便于集中观察。