Структура PN-перехода
P-тип (Акцепторы)
N-тип (Доноры)
Обедненная Область
Встроенный Потенциал: 0.70 V
Ширина Обеднения: 0.50 μm
Электрическое Поле: 1.40×10⁴ V/cm
Диаграмма Энергетических Зон
Зона Проводимости (Ec)
Валентная Зона (Ev)
Уровень Ферми (Ef)
Запрещенная Зона (Eg): 1.12 eV (Si)
Высота Барьера: 0.70 eV
ВАХ
Ток (I): 0.00 mA
Напряжение (V): 0.00 V
Режим Работы: Equilibrium
Профиль Носителей
Параметры PN-перехода
Уравнения PN-перехода
Собственные Носители
nᵢ²(T) = N_c·N_v·exp(-E_g/kT)
Встроенный Потенциал
V_bi = (kT/e)·ln(N_A·N_D/nᵢ²)
Ширина Обеднения
W = √(2ε·V_bi/e·(1/N_A + 1/N_D))
Уравнение Диода
I = I₀(e^(eV/kT) - 1)
Ток Насыщения
I₀ ∝ nᵢ² ∝ T³·exp(-E_g/kT)
Константы: k = 8.617×10⁻⁵ eV/K, e = 1.602×10⁻¹⁹ C, ε_Si = 11.7ε₀