Estrutura da Junção PN
Tipo P (Aceitadores)
Tipo N (Doadores)
Região de Depleção
Potencial Integrado: 0.70 V
Largura de Depleção: 0.50 μm
Campo Elétrico: 1.40×10⁴ V/cm
Diagrama de Bandas de Energia
Banda de Condução (Ec)
Banda de Valência (Ev)
Nível de Fermi (Ef)
Banda Proibida (Eg): 1.12 eV (Si)
Altura de Barreira: 0.70 eV
Curva I-V
Corrente (I): 0.00 mA
Tensão (V): 0.00 V
Modo de Operação: Equilibrium
Perfil de Portadores
Parâmetros da Junção PN
Equações da Junção PN
Portadores Intrínsecos
nᵢ²(T) = N_c·N_v·exp(-E_g/kT)
Potencial Integrado
V_bi = (kT/e)·ln(N_A·N_D/nᵢ²)
Largura de Depleção
W = √(2ε·V_bi/e·(1/N_A + 1/N_D))
Equação de Diodo
I = I₀(e^(eV/kT) - 1)
Corrente de Saturação
I₀ ∝ nᵢ² ∝ T³·exp(-E_g/kT)
Constantes: k = 8.617×10⁻⁵ eV/K, e = 1.602×10⁻¹⁹ C, ε_Si = 11.7ε₀