Estructura de Unión PN
Tipo P (Aceptores)
Tipo N (Donantes)
Región de Agotamiento
Potencial Integrado: 0.70 V
Ancho de Agotamiento: 0.50 μm
Campo Eléctrico: 1.40×10⁴ V/cm
Diagrama de Bandas de Energía
Banda de Conducción (Ec)
Banda de Valencia (Ev)
Nivel de Fermi (Ef)
Banda Prohibida (Eg): 1.12 eV (Si)
Altura de Barrera: 0.70 eV
Curva I-V
Corriente (I): 0.00 mA
Voltaje (V): 0.00 V
Modo de Operación: Equilibrium
Perfil de Portadores
Parámetros de Unión PN
Ecuaciones de Unión PN
Portadores Intrínsecos
nᵢ²(T) = N_c·N_v·exp(-E_g/kT)
Potencial Integrado
V_bi = (kT/e)·ln(N_A·N_D/nᵢ²)
Ancho de Agotamiento
W = √(2ε·V_bi/e·(1/N_A + 1/N_D))
Ecuación de Diodo
I = I₀(e^(eV/kT) - 1)
Corriente de Saturación
I₀ ∝ nᵢ² ∝ T³·exp(-E_g/kT)
Constantes: k = 8.617×10⁻⁵ eV/K, e = 1.602×10⁻¹⁹ C, ε_Si = 11.7ε₀