# Calculadora de la tensión de Hall

Tensión de Hall V_H = I·B/(n·q·t) con el signo del portador en q: los electrones (tipo n) dan V_H y coeficiente de Hall negativos, los huecos (tipo p) positivos — ese signo fue lo que primero reveló los 'portadores positivos'. Densidad en m⁻³ o cm⁻³ y grosor hasta nanómetros. Anclas: una capa sensora semiconductor (n = 10²¹ m⁻³, 100 µm) a 10 mA y 0.5 T entrega 0.31 V; el cobre con 10 A y 1 T logra solo ≈ 7 µV — siete órdenes de magnitud más portadores (8.5×10²⁸ m⁻³), la razón exacta por la que los elementos Hall se hacen de semiconductor y nunca de metal.

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- **Categoría:** Science & Education

- **Palabras clave:** efecto hall, tensión de hall, coeficiente de hall, densidad de portadores, tipo n tipo p, sensor magnetómetro

## Descripción general

Esta calculadora calcula la tensión de Hall transversal, el coeficiente de Hall y la sensibilidad magnética en función de la corriente aplicada, el campo magnético perpendicular, la densidad de portadores de carga, el espesor de la muestra y el tipo de portador (electrones o huecos).

## Entradas

- **Corriente I** (number): e.g. 10
- **Unidad de corriente** (select)
- **Campo magnético B** (number): e.g. 0.5
- **Unidad del campo B** (select)
- **Densidad de portadores n** (number): e.g. 1e21
- **Unidad de n** (select)
- **Grosor t** (number): e.g. 100
- **Unidad de grosor** (select)
- **Tipo de portador** (select)

## Cuándo usarlo

- Al dimensionar o simular sensores magnéticos y transductores Hall fabricados en capas semiconductoras.
- Durante la caracterización de muestras de laboratorio para identificar la densidad de portadores y el tipo de dopaje (n o p).
- Al comparar analíticamente la respuesta en microvoltios de conductores metálicos frente a voltajes de mayor amplitud en semiconductores.

## Cómo funciona

- Introduce los valores de corriente eléctrica aplicada y campo magnético seleccionando sus unidades de medida (A, mA, T, mT o µT).
- Define la densidad de portadores (en m⁻³ o cm⁻³), el grosor de la lámina (en mm, µm o nm) y el portador predominante (electrones tipo n o huecos tipo p).
- La herramienta calcula la tensión de Hall mediante la relación V_H = (I·B)/(n·q·t), deduciendo además el coeficiente de Hall R_H y la sensibilidad en V/T.

## Casos de uso

- Diseño de celdas sensoras Hall integradas en circuitos de silicio y arseniuro de galio.
- Comprobación de mediciones experimentales en bancos de prueba de física de estado sólido.
- Evaluación de tensiones transversales inducidas en barras colectoras y pistas de cobre de alta corriente.

## Preguntas frecuentes

### ¿Cómo influye el tipo de portador en el signo de la tensión de Hall?

Los electrones aportan carga negativa (−e) produciendo voltajes y coeficientes negativos, mientras que los huecos aportan carga positiva (+e) resultando en valores positivos.

### ¿Por qué los metales generan una tensión de Hall mucho menor que los semiconductores?

La tensión es inversamente proporcional a la densidad de portadores (n); al tener los metales densidades extremadamente altas, la señal cae al rango de los microvoltios.

### ¿Qué unidades de grosor admite la calculadora?

Permite seleccionar milímetros (mm), micrómetros (µm) y nanómetros (nm), realizando la conversión automática para la fórmula.

### ¿Qué representa el valor de sensibilidad obtenido?

Representa el cambio de tensión generado por cada tesla de inducción magnética (V/T) para la intensidad de corriente especificada.

### ¿Qué valor de carga elemental se aplica en el cálculo?

Se utiliza la constante fundamental de la carga eléctrica elemental e ≈ 1.60218 × 10⁻¹⁹ C, con signo negativo para electrones y positivo para huecos.

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## Ejemplos

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- [Ejemplos de Procesamiento de Imágenes Android Kotlin](https://elysiatools.com/es/samples/android-image-processing-kotlin): Ejemplos de procesamiento de imágenes Android Kotlin incluyendo lectura/escritura, escalado y conversión de formato
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